吕凤珍

主要研究方向：光电薄膜材料制备及器件物理、忆阻器件研发及类脑神经模拟研究

邮箱：lvfzh17@mailbox.gxnu.edu.cn

一、个人简介

吕凤珍，女，博士，副教授，硕士生导师。主要从光电薄膜材料制备及器件物理、忆阻器件研发及类脑神经模拟研究。在Nano Research、Journal of Alloys and Compounds、Applied Materials & Interfaces、Applied Physics Letters、Nanomaterials、Materials Today and Communications等SCI期刊上发表学术论文多篇，主持并参与国家自然科学基金项目3项，省级科研项目多项。

二、工作经历

2017年7月—2021年12月 广西师范大学 讲师

2022年1月—至今  广西师范大学 副教授 硕士生导师

三、荣誉称号及奖励

1. 第七届“高等教育杯”全国高等学校物理基础课程青年教师讲课比赛广西赛区一等奖，中南赛区二等奖；

2. 第五届“高等教育杯”全国高等学校物理基础课程青年教师讲课比赛广西赛区一等奖；

3. 2023年广西师范大学青年教师教学竞赛一等奖；

4. 广西师范大学第六届“教学新秀”；

5. 2021-2022学年、2020-2021学年、2019-2020学年本科课堂教学优秀教师。

四、教学工作

讲授课程包括《大学物理实验A》、《大学物理实验B1》、《大学物理实验B2》、《材料合成与制备新技术》等。

五、学术论文

[1] Yuan Gao1, Fengzhen Lv1,*, Zhizhuo Zhang, Danruoyu Wang, Huimin Tang*, Yong Yang, Wenfeng Wang, Fuchi Liu, Jun Liu, Lizhen Long, Light assisted multilevel resistive switching effect and logic calculation in Cr-doped La2CoMnO6-based memristor, Nano Research, 18, 94907466 (2025).

[2] Fangfang Huang1, Fengzhen Lv1,*, Danruoyu Wang, Yuan Gao, Tao Wang, Jun Liu, Xuedong Tian*, Fuchi Liu, Lizhen Long, Light-induced multilevel resistive switching in cesium-doped lead-free halide double perovskite memory device, Journal of Alloys and Compounds, 1004, 175827 (2024).

[3] Fengzhen Lv1,*, Yongfu Qin1, Yuan Gao, Fangfang Huang, HuiminTang*, Jun Liu, Lizhen Long, Yong Yang*, Nonvolatile resistive switching in lead-free La2CoMnO6-based memory device, Materials Today Communications, 36, 106454 (2023).

[4] Yongfu Qin1, Yuan Gao1, Fengzhen Lv*, Fangfang Huang, Fuchi Liu, Tingting Zhong, Yuhang Cui, Xuedong Tian*. Multilevel resistive switching memory in lead‑free double perovskite La2NiFeO6 films. Discover Nano, 18:107 (2023).

[5] Fengzhen Lv1,*, Tingting Zhong1, Yongfu Qin, Haijun Qin, Wenfeng Wang, Fuchi Liu*, Resistive switching characteristics improved by visible-light irradiation in a Cs2AgBiBr6-based memory device, Nanomaterials, 11, 1361 (2021).

[6] Tingting Zhong1, Yongfu Qin1, Fengzhen Lv*, Haijun Qin, Xuedong Tian, Light-activated multilevel resistive switching storage in Pt/Cs2AgBiBr6/ITO/Glass devices, Nanoscale Research Letters, 16(1):178, (2021).

[7] Fengzhen Lv1,*, Kang Ling1, Tingting Zhong, Fuchi Liu*, Xiaoguang Liang, Changming Zhu, Jun Liu and Wenjie Kong, Multilevel resistive switching memory based on a CH3NH3PbI3-xClx film with potassium chloride additives, Nanoscale Research Letters, 15:126 (2020).

[8] Fengzhen Lv1,*, Kang Ling1, Wenfeng Wang, Peng Chen, Fuchi Liu, Wenjie Kong, Changming Zhu, Jun Liu, Lizhen Long, Multilevel resistance switching behavior in PbTiO3/Nb:SrTiO3(100) heterostructure films grown by hydrothermal epitaxy, Journal of Alloys and Compounds, 778, 768-773 (2019).

[9] Fengzhen Lv, Cunxu Gao*, Heng-An Zhou, Peng Zhang, Kui Mi and Xiaoxing Li, Nonvolatile bipolar resistive switching behavior in the perovskite like (CH3NH3)2FeCl4, ACS Applied Materials & Interfaces, 8(29): 18985-18990 (2016).

六、科研项目

1. 国家自然科学基金地区基金项目，12464012，双势垒量子阱结构中共振隧穿效应的第一性原理研究，在研；

2. 国家自然科学基金青年基金项目，12104106，无铅双钙钛矿基阻变存储器的光控阻变特性及可逆转换机制研究，在研；

3. 广西自然科学基金面上项目，2018GXNSFAA294021，基于多场调控的钙钛矿结构有机-金属卤化物的非易失双极阻变特性研究，已结题；

4. 广西自然科学基金青年基金项目，2018GXNSFBA281073，基于磁电场调控的类钙钛矿结构有机-过渡金属氯化物晶体的非易失阻变特性研究，已结题；

5. 广西师范大学“独秀青年学者”培育项目，在研。

七、授权发明专利

吕凤珍，钟婷婷，覃永富，刘富池.一种调控无铅双钙钛矿基阻变存储器实现多态存储的方法.中国，发明专利，ZL202110027858.7.